Küresel DRAM sıkıntısının hızla derinleştiği dönemde, markaların GDDR7 yarışı da hız kazanıyor.Son olarak Samsung, 40 Gbps hızındaki 3 GB bellek modüllerini test etmeye başladı. Yeni bellekler, artan bant genişliği ihtiyacına yanıt sunacak.
3 GB 40 Gbps GDDR7 bellekler geliyor
Samsung’un 12 nm (10 nm sınıfı) DRAM sürecinde üretilen yeni bellek modülü, 24 Gb yoğunluğa sahip ve tek yongada 3 GB kapasite sunuyor. Bu yapı, hem ham hız hem de kapasite tarafında gelecek nesil ekran kartları için önemli bir eşik niteliğinde. Samsung kısa süre önce 36 Gbps hızındaki örneklerini dağıtmaya başlamıştı. Buna ek olarak, 28 Gbps hızındaki 3 GB GDDR7 modülleri ise artık seri üretimde.
Samsung’un üretim hacmi, özellikle NVIDIA’nın yaklaşan RTX 50 SUPER ara güncellemesi için gerekli VRAM stokunu destekleyecek seviyeye ulaşabilir. Zira böyle bir seride, hâlihazırda seri üretimi tamamlanmış modüllerin tercih edilmesi daha olası. GDDR7 tarafında artan hız yarışının önümüzdeki ekran kartı nesline nasıl yansıyacağı merak konusu.
Ayrıca sektördeki tek hızlanan üretici Samsung değil. SK Hynix’in ISSCC 2026’da tanıtacağı 24 Gb kapasiteli 48 Gbps GDDR7 modülü de bulunuyor. Bu modül, simetrik çift kanallı tasarım ve güncellenmiş dahili arayüzler ile GDDR7 için daha önce beklenen 32 ila 37 Gbps aralığını aşıyor. Pin başına hız, günümüzün 28 Gbps yongalarına göre %70’ten fazla bir artışı temsil ediyor ve yonga başına bant genişliğini 112 GB/sn’den 192 GB/sn’ye çıkarıyor olacak. Ancak yeni modellerin seri üretime girmesi için biraz daha zaman var.
Kaynak : https://www.donanimhaber.com/samsung-vites-yukseltti-3-gb-40-gbps-gddr7-bellekler-geliyor–199373
