NAND bellek sektöründe katman yarışı giderek daha ilginç bir hal almaya başladı. Zar alanlarının yetersiz kalmaya başladığı yerde artık üreticiler zar alanlarını birleştirerek aynı işlemci veya grafik sektöründeki yolu tercih etmeye başladı.
SK Hynix yeni yöntemler deniyor
Gelen raporlara göre SK Hynix, geçen sene başladığı 321 katmanlı NAND bellek modüllerini 2025 yılının ilk yarısında üretime sokmayı planlıyor. 400 katmanlı NAND bellek modülleri ise önemli bir adım olacak.
Firma yeni NAND belleklerde daha farklı bir yöntem uyguluyor. Kontrol devre birimleri alt kısımda yer alırken bellek modülleri de üst kısma entegre ediliyor. Bellek modülleri ve devre birimleri farklı plakalarda üretiliyor. Daha sonra hasar riskini azaltmak için bu plakalar birleştiriliyor.
Melez birleşim adı verilen bu yöntem hem alandan kazandırıyor hem de maliyetleri azaltıyor. Bununla birlikte melez birleşim yöntemi halen oldukça riskli ve firma farklı materyaller deneyerek en iyi verimliliği elde etmeyi planlıyor.
Firma 400 katmanlı bellek modülünü 2025 yılının sonlarında hacimli üretime sokmayı, 2026 başlarında ise tam ölçekli üretime geçmeyi planlıyor. Rakiplerden Micron hali hazırda 276 katmanlı bir NAND bellek üzerinde çalışırken Samsung da 290 katmanlı belleklerin üretimine başladı.
Kaynak : https://www.donanimhaber.com/sk-hynix-katman-rekoru-kirdi–180284
