Güney Koreli Seoul Economic Daily sitesinin haberine göre Samsung, ASML‘nin en gelişmiş High-NA EUV litografi makinesini bu yılın son çeyreği ile 2025’in ilk çeyreği arasında kurmayı planlıyor.
Samsung, yeni aracı öncelikli olarak araştırma ve geliştirme amaçları için kullanacak. Şirket ayrıca, Lasertec, JSR, Tokyo Electron ve Synopsys ile bir High-NA ekosistemi üzerinde çalışıyor.
Samsung’un ilk ASML Twinscan EXE:5000 High-NA litografi sistemi, şirketin mantık ve DRAM üretimi için yeni nesil üretim teknolojilerini geliştireceği Hwaseong kampüsüne kurulacak. Ünitenin 2025 ortalarında faaliyete geçmesi öngörülüyor. Sonuç olarak Samsung, ilk High-NA EUV aracını Intel’den yaklaşık bir yıl sonra faaliyete geçirecek, ancak rakipleri TSMC ve SK hynix’in önünde yer alacak. Samsung’un seri üretim için High-NA EUV’yi ne zaman benimseyeceği henüz belli değil.
High-NA EUV ekosistemi kuracak
Samsung, High-NA EUV teknolojisi etrafında gelişmiş bir ekosistem kurmayı planlıyor. Güney Koreli dev, yeni ekipmanı edinmenin yanı sıra, özellikle High-NA fotomaskeler için denetim ekipmanı geliştirmek üzere Japon Lasertec şirketiyle iş birliği yapıyor. Bu kapsamda, Samsung’un Lasertec’in High-NA EUV maske denetim aracı olan Actis A300’ü satın aldığı bildiriliyor. Samsung ayrıca, 2027 yılına kadar High-NA EUV araçlarının ticari uygulamasına hazırlanmak için fotorezist üreticisi JSR ve aşındırma makineleri üreticisi Tokyo Electron ile de iş birliği yapıyor.
ASML’nin High-NA EUV Twinscan EXE aracı, tek bir pozlamayla maksimum 13 nm çözünürlüğe imkan tanıyan mevcut Low-NA EUV sistemlerinden önemli ölçüde yüksek olan 8 nm çözünürlüğe ulaşabiliyor. Bu gelişmeyle, transistörler yaklaşık 1,7 kat daha küçülerek, transistör yoğunluğu neredeyse üç katına çıkacak.
Low-NA sistemleri de bu çözünürlük ve yoğunluk seviyesine ulaşabilse de, maliyetli ve karmaşık çift desenleme sürecini gerektiriyorlar. High-NA EUV teknolojisine geçiş ile çift desenleme ihtiyacı ortadan kalkarak üretimin basitleşmesi, verimin ve maliyetlerin düşmesi bekleniyor.
Bu 8nm kritik boyutlara ulaşmak, 3nm altı üretim teknolojilerine sahip yongalar üretmek için büyük önem taşıyor. Yine de, 2nm sınıfı düğümlerde, hemen hemen tüm yonga üreticileri çift desenleme kullanacak. Intel ayrıca 20A düğümü için desen şekillendirme araçlarını benimsiyor. Intel, High-NA EUV’yi ilk olarak 14A sürecinde kullanmayı planlıyor.
Kaynak : https://www.donanimhaber.com/samsung-asml-nin-high-na-euv-cihazini-bu-sene-sonunda-kuracak–180764
