SK Hynix, Samsung’u geçti: 321 katmanlı NAND Flash bellek üretimine başladı

featured
service
Paylaş

Bu Yazıyı Paylaş

veya linki kopyala

Dünyanın en büyük ikinci bellek üreticisi SK Hynix, Samsung’u geçerek 321 katmanlı üç seviyeli hücre (TLC) NAND flash belleklerin seri üretimine başlayan ilk firma oldu. Bu önemli gelişme, yüksek kapasiteli depolama birimlerini daha uygun fiyatlarla piyasaya sunma potansiyeli taşıyor.

1 terabitlik 4D NAND çipler

SK Hynix, geçtiğimiz yıl duyurduğu sektörün ilk 238 katmanlı NAND çiplerinden sonra bu kez 321 katmanlı TLC NAND çiplerini tanıttı. Şirketin 1 terabit kapasiteli 4D NAND çipleri, hem performans hem de üretim verimliliği açısından öne çıkıyor. Bu yenilik, özellikle yapay zeka veri merkezleri ve enerji tasarrufu gerektiren performans odaklı uygulamalar için büyük bir avantaj sunuyor. 321 katmanlı NAND teknolojisi, 100 TB’ı aşan depolama kapasitelerine sahip SSD’lerin önünü açabilir.

SK Hynix, 321 katmanlı NAND üretiminde “Üçlü Bağlantı” (Three Plugs) teknolojisini kullanarak yenilikçi bir üretim süreci geliştirdi. Bu teknoloji, dikey bellek katmanlarını elektriksel olarak optimize edilmiş bir elektriksel bağlantı işlemi aracılığıyla üç bellek katmanı dikey kanalını aynı anda birbirine bağlayarak üretim verimliliğini artırıyor.

Bu gelişmeler, 321 katmanlı NAND üretiminde bir önceki nesle göre yüzde 59’luk bir üretim verimliliği sağladı. Ayrıca yeni çiplerin, 238 katmanlı seleflerine kıyasla yüzde 12 daha hızlı veri aktarımı, yüzde 13 daha hızlı okuma performansı ve yüzde 10’dan fazla enerji tasarrufu sunduğu belirtiliyor.

2025’te çıkacak

SK Hynix, yeni 321 katmanlı NAND çiplerini 2025’in ilk yarısında müşterilerine göndermeyi planlıyor. İlk etapta yapay zeka odaklı veri merkezlerini hedefleyen şirket, ilerleyen dönemde ultra yüksek kapasiteli SSD’lerle oyun tutkunları, medya düzenleme uzmanları ve veri arşivcilerine hitap etmeyi amaçlıyor.

Samsung, bu gelişmelere kayıtsız kalmıyor. Şirket, 2026’ya kadar 400 katmanlı NAND çiplerini piyasaya sürmeyi hedefliyor. Ayrıca 2030 yılına kadar 1.000 katmanı aşacak bellek çipleriyle 200 TB’ın üzerinde kapasiteye sahip SSD’ler üretmeyi planlıyor. Japonya merkezli Kioxia da benzer bir yol haritası üzerinde çalışıyor.

Kaynak : https://www.donanimhaber.com/sk-hynix-321-katmanli-nand-flash-belleklerde-samsung-u-gecti–185821

0
mutlu
Mutlu
0
_zg_n
Üzgün
0
sinirli
Sinirli
0
_a_rm_
Şaşırmış
0
vir_sl_
Virüslü
SK Hynix, Samsung’u geçti: 321 katmanlı NAND Flash bellek üretimine başladı

Tamamen Ücretsiz Olarak Bültenimize Abone Olabilirsin

Yeni haberlerden haberdar olmak için fırsatı kaçırma ve ücretsiz e-posta aboneliğini hemen başlat.

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Giriş Yap

Kamu Haberleri ayrıcalıklarından yararlanmak için hemen giriş yapın veya hesap oluşturun, üstelik tamamen ücretsiz!

Bizi Takip Edin