Intel, ASML’nin ticari çip üretimi için geliştirilen ilk High-NA (0,55 sayısal açıklık) litografi sistemi olan Twinscan EXE:5200B’yi fabrikasına kurduğunu açıkladı. Kabul testleri başarıyla tamamlanan sistem, Intel’in 14A üretim sürecinin geliştirilmesinde kullanılacak. 14A, kritik katmanlarında High-NA EUV tarayıcıları kullanan dünyanın ilk üretim düğümü olacak. Bu gelişme, High-NA EUV litografinin deneysel aşamayı geride bırakıp yüksek hacimli üretime doğru ilerlediğini gösteriyor.
Twinscan EXE:5200B neler sunuyor?
Twinscan EXE:5200B, Intel’in 2023’te Oregon’daki Ar-Ge tesisine aldığı birinci nesil EXE:5000 platformunun devamı niteliğinde. Yeni sistem, 8 nm çözünürlükte desenleme yapabiliyor. Bu da çoklu desenleme gerektirmeden, Low-NA EUV’nin 13 nm sınırının ötesine geçilmesini sağlıyor. EXE:5000’den farklı olarak EXE:5200B, 50 mJ/cm² dozda saatte 175 plaka (wafer) işleyebiliyor ve 0,7 nm hizalama hassasiyetine ulaşıyor. Bu değer, giderek küçülen geometrilerde kritik öneme sahip.
Daha yüksek performans için tarayıcı, daha güçlü bir EUV ışık kaynağı ile donatıldı. Bu sayede daha yüksek dozda hızlı pozlama mümkün olurken, iyi kontrastlı bir proses penceresi korunuyor ve modern düğümlerde sorun yaratan kenar pürüzlülüğü (LER) ve çizgi genişliği dalgalanmaları (LWR) azaltılıyor. ASML ve Intel, yalnızca optik ve ışık kaynağıyla yetinmedi; aynı zamanda wafer stoklama sistemini de yeniden tasarladı. Wafer’ların saklanması, sıralanması ve makineye giriş-çıkış süreçlerini yöneten bu sistem, yeni nesil tarayıcılarda hem verimlilik hem de desen doğruluğu açısından belirleyici bir rol oynuyor. Güncellenen stoklama sistemi, wafer’ların pozlama aşamasına daha öngörülebilir koşullarda ulaşmasını sağlıyor. Ayrıca gelişmiş termal kontrol, wafer ve taşıyıcıların sıcaklığını sabit tutarak, mikroskobik genleşme ve büzülmelerin neden olabileceği hizalama hatalarını azaltıyor. Bu da kusur oranlarını düşürüp verimi artırıyor.
Isıl ve mekanik değişkenliğin azaltılması, uzun üretim süreçlerinde sürüklenmeyi (drift) de minimize ediyor. Böylece sistem daha kararlı çalışıyor ve sık kalibrasyon ihtiyacı azalıyor. Bu kararlılık, çoklu geçiş ve çoklu pozlama gerektirecek olan 1 nm altı teknolojiler için özellikle kritik olacak. Sonuç olarak Twinscan EXE:5200B, Intel için yalnızca yeni bir EUV aracı değil, şirketin yarı iletken liderliğini yeniden kazanmasını hedefleyen stratejisinin temel taşlarından biri olarak görülüyor. Intel, bu sistemi verimli kullanabilmek için maske teknolojileri, aşındırma süreçleri, çözünürlük artırma teknikleri ve ölçüm altyapısı üzerinde eş zamanlı optimizasyon çalışmaları yürütüyor.
Intel’e göre High-NA EUV araçları, daha esnek tasarım kuralları, daha az desenleme adımı, düşük maske sayısı, daha kısa çevrim süreleri ve çoklu desenlemenin ortadan kalkması sayesinde daha yüksek verim sağlayacak. Ayrıca Intel, High-NA EUV konusunda deneyim kazandıkça,1 nm altı dönemde gerektiğinde High-NA çoklu desenlemeyi verim kaybı yaşamadan devreye alabilecek.
Kaynak : https://www.donanimhaber.com/intel-sektorun-ilk-ticari-high-na-euv-litografi-makinesini-kurdu–199821
