Samsung Electronics, yapay zeka odaklı donanım çözümlerini sergilediği Nivida GTC 2026 etkinliğinde yeni nesil bellek teknolojileriyle dikkatleri üzerine çekti. Şirket, özellikle HBM4E bellek çözümü ile yüksek performanslı yapay zeka sistemleri için çıtayı önemli ölçüde yukarı taşıdı.
4 TB/s bant genişliği ve 48 GB kapasite
Samsung’un ilk kez tanıttığı HBM4E, teknik özellikleriyle göz dolduruyor. Bellek çözümü, pin başına 16 Gbps veri aktarım hızı sunarken, tek bir yığın (stack) için 4 TB/s bant genişliği sağlayabiliyor. Ayrıca 16 katmanlı (16-Hi) yapı sayesinde her yığında 48 GB kapasiteye ulaşılabiliyor.
Bu yeni nesil bellek, özellikle Nvidia’nın geliştirdiği Rubin Ultra platformu için optimize edilmiş durumda. Söz konusu platformda dört GPU yonga kümesi ve 16 HBM bellek alanı bulunuyor. Bu mimariyle birlikte teorik olarak 384 GB toplam HBM4E kapasitesi ve 64 TB/s seviyesine kadar bant genişliği mümkün hale geliyor. Mevcut Rubin platformu 288 GB HBM4 kapasitesi ve 22 TB/s bant genişliği sunuyordu. HBM4 üretime girdi
Samsung’un tanıttığı bir diğer önemli teknoloji ise seri üretime giren altıncı nesil HBM4 bellek oldu. Bu bellek çözümü, 11.7 Gbps veri aktarım hızını stabil şekilde sunabiliyor ve optimize edildiğinde 13 Gbps seviyesine kadar çıkabiliyor. Bu değerler, sektör standardı olan 8 Gbps’nin oldukça üzerinde konumlanıyor. HBM4, Samsung’un 10 nanometre sınıfı (1c) DRAM üretim süreci ile üretim bantlarında şekilleniyor. Samsung’un etkinlikte sergilediği bir diğer yenilik ise Hybrid Copper Bonding (HCB) adı verilen yeni nesil bağlantı teknolojisi oldu. Bu yöntem, geleneksel termal sıkıştırma bağlama (TCB) tekniğine kıyasla ısı direncini yüzde 20’den fazla azaltıyor. Aynı zamanda bu teknoloji sayesinde gelecekteki HBM çözümlerinde 16 katman ve üzeri bellek tasarımları daha verimli şekilde mümkün hale gelecek.
Nvidia ile ilişkiler derinleşiyor
Samsung, AI furyasının başlarında Nvidia’nın donanımlarında yer bulmakta zorlanmıştı. Ancak HBM3E, HBM4 ve HBM4E ile işler değişmiş durumda. Üstelik işbirliği bunlarla da sınırlı değil. Şirket, GTC 2026’daki standında yer alan “Nvidia Gallery” alanında SOCAMM2 bellek modülü ve yeni nesil SSD çözümlerini de sergiledi.
SOCAMM2, düşük güç tüketimli DRAM tabanlı bir sunucu belleği olarak öne çıkıyor. Yüksek bant genişliği ve esnek sistem entegrasyonu sunan bu çözüm, yapay zeka veri merkezlerinde ölçeklenebilirlik ve verimlilik ihtiyacına doğrudan yanıt veriyor. Ayrıca SOCAMM2’nin seri üretime ulaşan ilk çözüm olduğu belirtiliyor. Samsung’un depolama tarafındaki en dikkat çekici ürünü ise PM1763 SSD oldu. Bu model, PCIe 6.0 arayüzünü temel alıyor ve yüksek veri aktarım hızları ile büyük kapasite seçenekleri sunuyor. Bunun yanında, PM1753 SSD de Nvidia’nın BlueField-4 STX referans mimarisinde kullanılarak özellikle çıkarım (inference) iş yüklerinde enerji verimliliğine katkı sağlayacak.
Endüstrideki bellek yongalarını tüketen veri merkezlerinin yanı sıra Samsung, uç cihazlar için de çözümlerini tanıttı. Yeni nesil LPDDR5X bellekler, pin başına 25 Gbps hız sunarken, yüzde 15’e kadar daha düşük güç tüketimi sağlıyor. Bu sayede yüksek çözünürlüklü oyunlar ve yapay zekâ destekli uygulamalar, pil ömründen ödün vermeden çalışabiliyor. Bir sonraki adım olan LPDDR6 ise performansı daha ileri taşıyacak. Bu bellek türü, 30-35 Gbps arası ölçeklenebilir bant genişliği sunarken, adaptif voltaj ölçekleme ve dinamik yenileme kontrolü gibi gelişmiş güç yönetim özellikleriyle dikkat çekiyor.
Kaynak : https://www.donanimhaber.com/yapay-zekaya-bu-bellek-hayat-verecek-samsung-hbm4e-yi-tanitti–203325
